这是一位可靠的冰宇宙内部人士报道的。据他介绍，不仅 RAM 芯片将升级，该品牌未来旗舰的驱动器也将升级，这将为它们在所有工作场景中提供显着的性能提升。

据爆料者称，新品将配备LPDDR5X标准内存模组和UFS 4.0闪存盘。前者支持高达 8533 Mbps 的数据传输速率（比 LPDDR5 快 33%），后者分别“超频”到 4200 Mbps 和 1200 Mbps 的读写速度。

预计结合超频的 Snapdragon 8 Gen 2 处理器，此类硬件将显着提高智能手机在游戏、多任务处理和运行重型软件方面的性能。根据网上消息，基本款 Galaxy S23 将提供 8/128 GB 和 8/256 GB 配置，Galaxy S23 + 将提供 8/256 GB 和 8/512 GB 版本，而 Galaxy S23 Ultra 则归功于有 8/256 GB 的修改。512GB 和 12GB/1TB。更多手机教程请持续关注ROM乐园官网，文章来自www.romleyuan.com